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同步整流應用和調試注意事項

發表時間: 2022-06-01 00:00:00

作者: 深圳市芯茂微電子有限公司

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芯茂微電子的同步整流芯片覆蓋40V,45V,60V,80V,100V,120V、150V、200V 的應用;批量量產的有各種分立同步整流驅動芯片,也有種類齊全的

芯茂微電子的同步整流芯片覆蓋40V,45V,60V,80V,100V,120V、150V、200V 的應用;批量量產的有各種分立同步整流驅動芯片,也有種類齊全的合封MOS 的同步整流IC 供客戶選用。


同步整流芯片從控制原理上分為兩類:***類屬于電流/電壓檢測型,也就是芯片通過檢測同步整流MOS 的Vds 電壓來判斷是否需要打開/關閉同步MOS,比如LP35118。第二類屬于時序+電壓檢測混合型,芯片不但通過檢測同步MOS 的Vds 電壓,還要檢測同步MOS Vds 的邊沿并預測下一次MOS 的Vds 邊沿,共同來決定同步MOS 的開關時刻,比如LP55135。


●應用要點一:關注同步整流芯片Tonmin 參數,防止原副邊直通。


為了提升芯片的抗干擾能力,防止同步整流管在開通后,因為原邊漏感引起的Ring 振鈴導致錯誤關斷,造成同步效率偏低的問題,同步整流芯片都會設置一個Ton_min。如下圖:



這個時間的含義是:同步整流管一旦開通,在這個Tonmin 時間內,是不會關斷的。那么,為了防止原邊的高壓開關MOS 和副邊的同步整流管直通(同時出現導通的狀態),則要求原邊的高壓MOS 在關斷以后Toff時,在Tonmin 時間內***不能開通。否則就會出現下圖的現象:


         


原邊Toff 的時間<同步Tonmin 時間,導致原副邊直通,導致同步Vds 應力高,甚至炸機。


★ 該案例為某客戶12V2A 產品, 使用我司lp3588bs,Toff 時間太小導致直通,同步MOS 損壞。


防止這種問題的發生的措施:

1、查閱datasheet,準確了解您選用的同步的Tonmin 時間,選擇最大占空比Duty_max 較小的主控,確保最小Toff 時間大于同步的Tonmin 時間,還要保留一定的裕量。

2、選擇帶輸入欠壓保護的主控:欠壓保護電路可以防止芯片的工作占空比過大而導致Toff 過小。

3、一定要測試同步整流管的Vds 波形:在關機、開機、短路、動態負載、負載躍遷時,確保應力滿足規格要求。


版本記錄:

                  日期                                      版本                              升級內容                                 編制
           2021-11-29                                      V1.0新制定:關注同步Ton_min,防止原副邊共通                                  liuk

























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